國產(chǎn)軍品光耦

射極輸出型光耦

射極輸出型光耦

產(chǎn)品特點
隔離電壓:500V
TTL/ LSTTL/CMOS等電路相容
靜電等級:1000V

光開關型光電耦合器

光開關型光耦

產(chǎn)品特點
雙向輸出
導通電壓:Vs≤5mv
各通道互相隔離
四通道結(jié)構(gòu)

無引線封裝型光耦

無引線封裝型光耦

產(chǎn)品特點
隔離電壓:1000V
TTL/ LSTTL/CMOS等電路相容
靜電等級:1000V

高速 TTL 電平集電極開路輸出型光耦

高速 TTL 電平集電極開路輸出型光耦

產(chǎn)品特點
速度:tr≤50ns;tf≤20ns
隔離電壓:1000V
集電極開路輸出
TTL/LSTTL/CMOS電平兼容

無引線封裝型光耦

無引線封裝型光耦

產(chǎn)品特點
隔離電壓:1000V
TTL/ LSTTL/CMOS等電路相容
靜電等級:1000V
FT-49-H249S抗輻射總劑量達100krad(Si)

10Mbit/s 集電極開路輸出型光耦

產(chǎn)品特點
電源電壓:2.7V~5.5V
隔離電壓:1000V
集電極開路
最高速度:10Mbit/s
靜電等級:1000V

TO 封裝型光耦

TO 封裝型光耦

產(chǎn)品特點
集電極開路輸出
集-發(fā)擊穿電壓V(BR)CEO:80V
靜電等級:1000V

1Mbit/s 集電極開路輸出型光耦

1Mbit/s 集電極開路輸出型光耦

產(chǎn)品特點
電源電壓:2V~18V
隔離電壓:1000V
集電極開路
最高速度:1Mbit/s
靜電等級:1000V

雙列直插晶體管輸出型光耦

雙列直插晶體管輸出型光耦

產(chǎn)品特點
集電極開路輸出
集-發(fā)擊穿電壓V(BR)CEO:100
靜電等級:1000V

貼片式晶體管輸出型光耦

貼片式晶體管輸出型光耦

產(chǎn)品特點
集電極開路輸出

集-發(fā)擊穿電壓V(BR)CEO:100V
靜電等級:1000V

高工作電壓集電極開路輸出型光耦

高工作電壓集電極開路輸出型光耦

產(chǎn)品特點
最高工作電壓:30V
隔離電壓:1500V
集電極開路輸出
最高速度1Mbit/s

三端達林頓輸出型光耦

三端達林頓輸出型光耦

產(chǎn)品特點
高電流傳輸比:1800%(典型值)
隔離電壓:1000V
集電極開路反相輸出
低電流驅(qū)動:0.5mA
TTL/ LSTTL/CMOS等電路兼容

FT-88-6N138/6N139

FT-88-6N138/6N139

1.Features
High current transfer ratio – 2000%typical.

Low input current requirements – 0.5mA

兩端達林頓輸出型光耦

兩端達林頓輸出型光耦

產(chǎn)品特點
電源電壓:2V~50V
隔離電壓:1000V
集電極開路
靜電等級:1000V

FT-88-6N138/6N139

FT-88-3H7-4-(GK)

Features
(1)   Current transfer ratio(CTR) : MIN. 50% at IF  = 5mA, VCE = 5V, Ta=25 ℃

(2)   High input-output isolation voltage.(VISO=3,750Vrms)
(3)   Collector and emitter Voltage : 80V(MIN)
(4)   Operating Temperature :-55 ℃ to 125 ℃

晶閘管輸出型光耦

晶閘管輸出型光耦

產(chǎn)品特點
隔離電壓:2000V
輸出耐壓:400V
TTL/LSTTLCMOS等電路相容
晶閘管輸出型

FT-88-6N137

FT-88-6N137

1.Features
(1)3.3v / 5V supply voltage

(2)low power consumption

反射式光耦

反射式光耦

產(chǎn)品特點
隔離電壓:500V
無磁銅底座,微磁封裝
編碼盤表面紅外吸收處理,提高了反光比

FT-88-50LS/FT-88-50LW

FT-88-50LS/FT-88-50LW

1.Features
(1)High common mode transient immunity (CMH, CML= 15 kV/s MIN.)

(2)Half size of 8-pin DIP

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